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                铟镓砷 InGaAs MP6514S型单光子阵列探测器组件 950~1650nm  

                MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器??橛氲缪鼓姹淠??、制冷???、信号控制??樽槌?。在盖革工作模式下,探测器组件各……

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                产品型号
                型号 货号 操作 名称
                MP6514S  E80040036  8-10周    InGaAs单光子阵列探测器组件 950~1650nm   [PDF] 器件类型 InGaAs APD;工作波长 950~1650nm;阵列规模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 

                总览

                MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器???/span>与电压逆变???、制冷???/span>、信号控制??樽槌?。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。

                产品特点

                ●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm  

                ●采用金属封装,器件质轻灵巧 

                ●像元独立、自由运行 

                ●像元可探测弱光子信号 

                ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 

                产品应用

                ●透雾、霾、烟尘等测距

                ●近红外激光告警

                ●远距离激光测距

                ●远距离空间激光通信

                技术参数

                探测器面阵规格


                性能描述

                器件类型

                InGaAs APD

                阵列规模

                4x4

                像元大小

                100μm x 100μm

                光敏面大小[1]

                85μm x 85μm

                光窗

                石英光窗

                感光靶面至光窗外表面间距

                4mm (光窗厚度为1mm )

                注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。


                主要性能指标(Tc=22+3℃)

                特性参数

                参数指标

                工作波长[1]

                0.95 ~ 1.65μm

                探测效率

                ≥10% ( 1.57   +0.05μm)

                暗计数率

                ≤10KHz

                时间抖动

                ≤500ps

                死时间

                100 ~ 1000ns可调

                有效像元率

                100%

                注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

                绝对最大额定值

                参数

                额定值

                单位

                工作温度范围Tc

                -40~+55

                °C

                贮存温度范围TSTG

                -40~+70

                °C

                最大功耗P

                15

                W

                输入偏置范围VR

                4.95.5

                V

                静电放电敏感度ESD

                1000~2000

                V

                质量可靠性保证

                ● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

                通用参数

                封装外形结构与尺寸(单位: mm )

                zj1.png

                zj2.png

                电学接口

                zj4.png

                ●电源输入: +5V

                ●数据输出类型: TTL

                ●控制命令接口: J63A-31

                ●电源输入接口类型: J30J

                ●数据输出接口类型: J63A-31

                ●外触发接口: SSMA

                接口编号

                功能

                1

                SSMA-1:内同步信号输出

                2

                SSMA-2:外同步信号输入

                3

                J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口

                4

                J30J: +5V单电源供电










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