LGS 硫鎵鋰 (LiGaS2) NIR-IR非線性光學晶體
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LiGaS2
A80160204
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透光率; 0.33 – 11.6μm;帶隙;4.15 eV;定位精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
平面度 546 nm λ/4
表面質量; scratch/dig 30/20
,貨期:8-10周
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LGSe硒鎵鋰(LiGaSe2) NIR-IR近紅外非線性光學晶體
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LiGaSe2
A80160203
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透光率; 0.37 – 13.2μm;帶隙; 3.57eV (300K)定位精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
平面度 546 nm λ/4
表面質量; scratch/dig 30/20
,貨期:8-10周
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LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線性光學晶體
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LiInS2
A80160202
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透光率;0.35– 13.2 μm; 非線性系數; pm/V d31=7.25; d24=5.66 @2.3 ;對稱度 斜方晶系; mm2 point group ;晶胞參數; ? a=6.893; b=8.0578; c=6.4816 ;定向精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
平面度 546 nm λ/6
表面質量; scratch/dig 30/20
,貨期:8-10周
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LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體
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LilnSe2
A80160201
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透光率; 0.43– 13.2 μm;非線性系數; pm/V:d31=11.78; d24=8.17 @2.3 μm ;對稱度:斜方(晶系); mm2 point group ;晶胞參數; ? a=7.192; b=8.412; c=6.793 ;帶隙; eV:2.86;定向精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
546 nm λ/4
表面質量; scratch/dig 30/20
,貨期:8-10周
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AGSe 硒鎵銀(AgGaSe2)NIR-IR近紅外非線性晶體
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AgGaSe2
A80160206
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透光率;0.76 – 18 μm;單軸負晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no);非線性系數; pm/V d36 = 39.5 @10;6 μm ;對稱度 四方晶系; -42m point group ,貨期:8-10周
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GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學晶體
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GaSe
G80010032
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透光率0.62 – 20μm;非線性系數; pm/V : d22 = 54 @10.6 μm;對稱度:六方晶系; 6m2 point group;晶胞參數; ? a=3.74; c=15.89;離散角; ° 5.3 μm ,貨期:8-10周
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AGS 硫鎵銀 非線性光學晶體 AgGaS2
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AgGaS2
A80160205
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透光率: μm 0.47 – 13
非線性系數: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 μm ;
對稱度:四方晶系; -42m point group
晶胞參數:a=5.757; c=10.311; ,貨期:2-3周
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