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                硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm  

                Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

                华东西北华南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可扫码

                daisy@microphotons.com

                华北西南东北华中 Tina 13124873453 同微信,可扫码

                hongyu.chen@microphotons.com

                综合技术咨询 Deyan Pan 17612171289 同微信,可扫码

                deyan.pan@microphotons.com



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                产品型号
                型号 货号 操作 名称
                APD-SI-905-0.5-LCC3  E80040255  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:LCC3  
                APD-SI-905-0.23-LCC3  E80040254  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.23mm LCC3)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:LCC3  
                APD-SI-905-0.8-TO46  E80040253  8-10周    硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.8mm 封装:TO46  
                APD-SI-905-0.5-TO46  E80040252  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.5mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:TO46  
                APD-SI-905-0.23-TO46  E80040109  8-10周    905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:TO46  

                总览

                Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

                通用参数

                产品特点:

                正照平面型芯片结构

                高速响应

                高增益

                低结电容

                低噪声


                产品应用:

                激光测距

                激光雷达

                激光警告

                技术参数:

                光电性能(@Ta=22±3℃)


                 

                器件型号

                光谱响应范

                (nm)

                峰值响

                应波长

                (nm)

                响应度

                λ =905nm

                φ e =1μW

                M=100

                (A/W)

                暗电流

                M=100

                (nA)

                响应时间

                λ =905nm

                R L =50Ω

                (ns)

                工作电压

                温度系数

                T a =-40℃

                ~85℃

                (V/℃)

                总电容

                M=100

                f=1MHz

                (pF)

                击穿电压

                I R =10μA

                (V)

                典型

                最大

                最小

                最大

                APD-SI-905-2-TO46

                400~1100

                905

                55

                0.2

                1

                0.6

                0.9

                1.0

                130

                220

                APD-SI-905-5-TO46

                0.4

                1

                1.2

                APD-SI-905-8-TO46

                0.8

                2

                2.0

                APD-SI-905-2-LCC3

                0.2

                1

                1.0

                APD-SI-905-5-LCC3

                0.4

                1

                1.2

                 

                 

                结构/最大绝对额定值

                器件型号

                封装形式

                光敏面直径

                (mm)

                工作电压

                (V)

                工作温度

                (℃)

                储存温度

                (℃)

                焊接温度

                (℃)

                正向电流

                (mA)

                耗散功率

                (mW)

                APD-SI-905-2-TO46

                TO-46

                0.23

                0.9×V BR

                -40~85

                -45~100

                260

                0.25

                100

                APD-SI-905-5-TO46

                TO-46

                0.50

                APD-SI-905-8-TO46

                TO-46

                0.80

                APD-SI-905-2-LCC3

                LCC3

                0.23

                APD-SI-905-5-LCC3

                LCC3

                0.50

                 

                 

                产品型号

                 

                名称

                型号

                描述

                价格

                货期

                硅雪崩光电二极管

                 

                APD-SI-905-2-TO46

                光谱响应范围:400-1100nm

                峰值响应波长:905nm

                光敏面直径:0.23mm

                封装:TO46



                硅雪崩光电二极管

                 

                APD-SI-905-5-TO46

                光谱响应范围:400-1100nm

                峰值响应波长:905nm

                光敏面直径:0.50mm

                封装:TO46



                硅雪崩光电二极管

                 

                APD-SI-905-8-TO46

                光谱响应范围:400-1100nm

                峰值响应波长:905nm

                光敏面直径:0.80mm

                封装:TO46



                硅雪崩光电二极管

                 

                APD-SI-905-2-LCC3

                光谱响应范围:400-1100nm

                峰值响应波长:905nm

                光敏面直径:0.23mm

                封装:LCC3



                硅雪崩光电二极管

                 

                APD-SI-905-5-LCC3

                光谱响应范围:400-1100nm

                峰值响应波长:905nm

                光敏面直径:0.50mm

                封装:LCC3



                 

                 

                典型特性曲线


                302.png


                303.png



                304.png


                305.png


                封装外形、尺寸及引脚定义

                APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)


                306.png


                APD-SI-2-2/5-LCC3


                307.png


                308.png


                等效电路及应用电路



                309.png






                310.png






                注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

                C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。

                R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。

                R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。

                定购信息:


                型号规则


                【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】


























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